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    EV、HEV用IGBT模塊

    采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

    產品信息

    • 產品信息

    EV、HEV用IGBT模塊 650V級

    ※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

    VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

    Package Device type VCES
    Volt
    IC(Cont)
    Amps.
    IC(Peak)
    Amps.
    VCE(sat)
    Typ. Volts
    VF
    Typ. Volts
    Net mass Grams

    M651
    6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

    M652
    6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

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